대구경북이 차세대 반도체 주력 분야로 와이드밴드갭(WBG·Wide Band Gap) 반도체를 육성 중인 가운데, 지역기업이 기술개발 행보에 나서며 관련 생태계 육성에 앞장서고 있다.

WBG 반도체는 소재에 따라 SiC(실리콘카바이드·탄화규소)·GaN(질화갈륨)·Ga2O3(산화갈륨) 등으로 나뉜다.

기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 고전압, 고전류, 고온에서 상대적으로 불안정한 것과 다르게 WBG 반도체는 높은 주파수나 전압, 온도에도 더 낮은 전력 손실로 작동한다. 4차 산업혁명 시대에 전력을 보다 효과적으로 쓰려면 WBG 반도체가 필수로 꼽힌다.

대구시와 경북도는 WBG 반도체 밸류체인을 지역에 구성하려 정부 공모에 참여하는 등 지원 정책을 추진하고 있다. 특히 대구와 포항, 구미 중소·중견·대기업은 SiC 반도체와 관련한 인프라를 구축하려 노력하고 있다.

이런 와중에 대구 반도체 기업 ㈜에스테크는 최근 ㈜쎄닉(충남 천안)과 8인치 단결정 실리콘카바이드(SiC) 기술개발을 위한 공동연구협약을 맺었다고 26일 밝혔다.

에스테크는 반도체용 단결정 실리콘 성장장비 제조분야의 국내 1위 업체다. 에스테크는 현재까지 300㎜ 실리콘 반도체용 잉곳 성장로를 국내외에 100여 대 이상 공급했다. 이번 협약으로 기존의 반도체 장비 기술을 활용, 정밀제어 기반의 SiC 단결정 성장장비를 개발할 예정이다.

쎄닉은 PVT 장비를 사용해 SiC 단결정을 제조하는 업체로 지난해 SKC로부터 독립했다. SiC 단결정 성장과 웨이퍼 가공 관련 사업을 추진하고 있다. 국내에서는 유일하게 4인치와 6인치 SiC 잉곳·웨이퍼 양산체계를 확립하고 사업을 확대하고 있다.

SiC 반도체 분야는 최근 전기차 시장 성장과 함께 미국과 일본 중심으로 글로벌 양산 체제가 구축되고 있다. 글로벌 상위 업체를 중심으로 해당 분야 투자를 단행하며 일부 기업에 의해 독점적인 시장이 형성되고 있는데, 지역업체가 이에 도전장을 던진 것이다.

육영진 에스테크 연구소장은 "이번 협약을 통해 차세대 전력반도체 시장으로의 진출과 더불어 국내 와이드밴드갭 기반 반도체 기술 활성화를 위해서도 노력하겠다"고 했다.

구갑렬 쎄닉 대표는 "현재 4인치·6인치 SiC 중심으로 글로벌 반도체 시장이 형성돼 있는데 후발주자로서 시장에 성공적으로 진입하기 위해서는 무엇보다 경쟁사보다 서둘러 8인치 SiC 웨이퍼 양산을 위한 기술개발을 진행하는 것이 중요하다"며 "국내 기술력 있는 업체와 협력해 장비의 국산화에 힘쓰고 더 나아가 원활한 협력구조로 8인치 SiC 잉곳·웨이퍼의 선진적 시장 진출을 목표로 한다"고 했다.