SiC (실리콘 카바이드)는 탄소를 높은 온도로 가열해 제조한 탄화규소로 만든 소재이며, 쎄닉은 잉곳과 웨이퍼를 비즈니스 모델로 공급하고 있습니다.
SiC는 실리콘 반도체보다 고온, 고압에서 안정적이며, 에너지 효율은 높고 저항이 낮고 단단해 전기차(EV)에 쓰이는 전력반도체에 주로 사용됩니다. 또한 기차, 항공기, 태양광, 서버 등의 다양한 어플리케이션 용도로 이용이 가능하여, 향후 발전 가능성이 높으며 현재 고객 수요는 계속하여 증가하고 있습니다.
최근에는 주로 150㎜ SiC 웨이퍼가 전력반도체에 주 소재로 각광 받고 있으며 쎄닉은 원활한 공급 체인과 시스템을 갖추고 있습니다.
| Materials | Silicon Carbide (SiC) Single Crystal |
|---|---|
| Polytype Structure | 4H |
| Semiconductor Type | n-type |
| Dopant | Nitrogen (N2) |
| Resistivity | 20±5 mΩ∙cm |
| Si-face Surface | CMP, Epi-ready |
| Off-Orientation | 4±0.5° |
| Thickness | 350±25 ㎛ |
| Roughness | <1nm |
| MPD(Micropipe Density) | < 1/cm2 |
| Grade | XSC-GN(General Grade) XSC-CM(Commercial Grade) XSC-HP(High Performance Grade) |
Copyright © 주식회사 쎄닉. All Rights Reserved. ADMIN