SiC (실리콘 카바이드)는 탄소를 높은 온도로 가열해 제조한 탄화규소로 만든 소재이며, 쎄닉은 잉곳과 웨이퍼를 비즈니스 모델로 공급하고 있습니다.
전력반도체의 호황으로 SiC Wafer의 수요가 증가함에 따라 전세계적으로 150㎜에서 200㎜로의 연구 개발을 추진하고 있습니다.
쎄닉 또한 World leading Company 가 되기 위해 국산화 200㎜ SiC 웨이퍼 연구개발에 힘쓰고 있으며 2023년 상반기를 목표로 개발중에 있습니다.
| Materials | Silicon Carbide (SiC) Single Crystal |
|---|---|
| Polytype Structure | 4H |
| Semiconductor Type | n-type |
| Dopant | Nitrogen (N2) |
| Resistivity | 20±5 mΩ∙cm |
| Si-face Surface | CMP, Epi-ready |
| Off-Orientation | 4±0.5° |
| Thickness | 500±25 ㎛ |
| Roughness | <1nm |
| MPD(Micropipe Density) | < 1/cm2 |
| Grade | XSC-GN(General Grade) XSC-CM(Commercial Grade) XSC-HP(High Performance Grade) |
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