SiC Ingot 제조 1 페이지

Senic의 SiC Ingot 성장 제조 기술

Senic은 독자적인 전문 기술을 활용하여 차세대 전력반도체 및 RF용 소재인 SiC Ingot과 Wafer를 제조합니다.

특히 SiC 대량 생산에 특화된 PVT(Physical Vapor Transport, 승화법) 성장법으로 작업합니다.

PVT 성장법은 고순도의 SiC powder를 고온(2,200~2,500°C)에서 승화시킨 후, 종자결정에 응축시켜 SiC Ingot을 성장시키는 방법으로 안정된 제조가 가능합니다.

또한, Hot-zone Design을 자체적으로 개발하여 타사와 차별화를 둔 고품질 SiC Ingot을 제작하고 있습니다.